[font=sans-serif]حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارتهای حافظه ویواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارایه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت (Hard diskk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.[/font]
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام گذاری شده‌اند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
[list]
[*]فلش NOR :
[/list]هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
[list]
[*]فلش NAND:
[/list]فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
ساختار فلش مموری ها
ابعاد کوچک حافظه های فلش نشان دهنده این است که این وسایل نباید ساختاری پیچیده داشته باشد. به طور کلی و به زبان ساده، یک حافظه فلش دارای چیپست حافظه، کنترلر و پورت اتصال است.
پورت شما می تواند USB یا از اتصالات مخصوص کارت های حافظه SD،microSD ،MMC یا مدل های دیگر باشد. کنترلر، پلی میان پورت و حافظه بوده و مدیریت نقل و انتقال اطلاعات را به عهده دارد.
حافظه ذخیره سازی نیز که به آن حافظه NAND Flash می گویند، محل ذخیره سازی اطلاعات است. این حافظه دارای ظرفیت های مختلفی است و سرعت انتقال اطلاعات در آن می تواند، متغیر باشد.
در برخی موارد، کنترلر و حافظه با یکدیگر جمع شده و در برخی دیگر از حافظه های فلش که از فناوری (COB (Chip On Borad در آنها استفاده شده است، همه چیز روی یک بورد جمع می شود. حافظه های ساخته شده با این فناوری عموما اندازه ای بسیار کوچک و ضخامتی کم دارد، پس انتظار سرعت انتقال اطلاعات بالا از آنها نداشته باشید.
سرعت انتقال اطلاعات به سه جزء اصلی ذکر شده وابسته است. اگر حافظه ذخیره سازی سریع باشد، کنترلر قدرتمندی با قابلیت پشتیبانی از فناوری های جدید انتقال اطلاعات داشته و از پورت سریع USB 3.0 نیز پشتیبانی کنید، می توانید سرعت انتقال اطلاعات بالا (و البته قیمت بالاتر) را انتظار داشته باشید.
در مورد حافظه های سریع، عموما سازندگان حداکثر سرعت انتقال اطلاعات را روی محصولات خود ذکر می کنند که البته ممکن است در عمل به دست نیاید در مورد حافظه های USB 2.0 سریع، سرعت خواندن و نوشتن می تواند به حدود 10 تا 35 مگابایت در ثانیه برسد. در مورد حافظه های معمولی USB 2.0 و مدل های COB، سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب حدود 20 و 5 مگابایت در ثانیه است که برای انتقال فایل های حجیم اصلا مناسب نخواهد بود.
در مورد حافظه های USB 3.0 نیز می توانید سرعتی بین 50 مگابایت در ثانیه تا بیش از صد مگابایت در ثانیه را تجربه کنید.
[font=sans-serif]حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارتهای حافظه ویواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارایه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت (Hard diskk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.[/font]
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام گذاری شده‌اند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
[list]
[*]فلش NOR :
[/list]هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
[list]
[*]فلش NAND:
[/list]فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
ساختار فلش مموری ها
ابعاد کوچک حافظه های فلش نشان دهنده این است که این وسایل نباید ساختاری پیچیده داشته باشد. به طور کلی و به زبان ساده، یک حافظه فلش دارای چیپست حافظه، کنترلر و پورت اتصال است.
پورت شما می تواند USB یا از اتصالات مخصوص کارت های حافظه SD،microSD ،MMC یا مدل های دیگر باشد. کنترلر، پلی میان پورت و حافظه بوده و مدیریت نقل و انتقال اطلاعات را به عهده دارد.
حافظه ذخیره سازی نیز که به آن حافظه NAND Flash می گویند، محل ذخیره سازی اطلاعات است. این حافظه دارای ظرفیت های مختلفی است و سرعت انتقال اطلاعات در آن می تواند، متغیر باشد.
در برخی موارد، کنترلر و حافظه با یکدیگر جمع شده و در برخی دیگر از حافظه های فلش که از فناوری (COB (Chip On Borad در آنها استفاده شده است، همه چیز روی یک بورد جمع می شود. حافظه های ساخته شده با این فناوری عموما اندازه ای بسیار کوچک و ضخامتی کم دارد، پس انتظار سرعت انتقال اطلاعات بالا از آنها نداشته باشید.
سرعت انتقال اطلاعات به سه جزء اصلی ذکر شده وابسته است. اگر حافظه ذخیره سازی سریع باشد، کنترلر قدرتمندی با قابلیت پشتیبانی از فناوری های جدید انتقال اطلاعات داشته و از پورت سریع USB 3.0 نیز پشتیبانی کنید، می توانید سرعت انتقال اطلاعات بالا (و البته قیمت بالاتر) را انتظار داشته باشید.
در مورد حافظه های سریع، عموما سازندگان حداکثر سرعت انتقال اطلاعات را روی محصولات خود ذکر می کنند که البته ممکن است در عمل به دست نیاید در مورد حافظه های USB 2.0 سریع، سرعت خواندن و نوشتن می تواند به حدود 10 تا 35 مگابایت در ثانیه برسد. در مورد حافظه های معمولی USB 2.0 و مدل های COB، سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب حدود 20 و 5 مگابایت در ثانیه است که برای انتقال فایل های حجیم اصلا مناسب نخواهد بود.
در مورد حافظه های USB 3.0 نیز می توانید سرعتی بین 50 مگابایت در ثانیه تا بیش از صد مگابایت در ثانیه را تجربه کنید.
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام گذاری شده‌اند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
[list]
[*]فلش NOR :
[/list]هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
[list]
[*]فلش NAND:
[/list]فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
ساختار فلش مموری ها
ابعاد کوچک حافظه های فلش نشان دهنده این است که این وسایل نباید ساختاری پیچیده داشته باشد. به طور کلی و به زبان ساده، یک حافظه فلش دارای چیپست حافظه، کنترلر و پورت اتصال است.
پورت شما می تواند USB یا از اتصالات مخصوص کارت های حافظه SD،microSD ،MMC یا مدل های دیگر باشد. کنترلر، پلی میان پورت و حافظه بوده و مدیریت نقل و انتقال اطلاعات را به عهده دارد.
حافظه ذخیره سازی نیز که به آن حافظه NAND Flash می گویند، محل ذخیره سازی اطلاعات است. این حافظه دارای ظرفیت های مختلفی است و سرعت انتقال اطلاعات در آن می تواند، متغیر باشد.
در برخی موارد، کنترلر و حافظه با یکدیگر جمع شده و در برخی دیگر از حافظه های فلش که از فناوری (COB (Chip On Borad در آنها استفاده شده است، همه چیز روی یک بورد جمع می شود. حافظه های ساخته شده با این فناوری عموما اندازه ای بسیار کوچک و ضخامتی کم دارد، پس انتظار سرعت انتقال اطلاعات بالا از آنها نداشته باشید.
سرعت انتقال اطلاعات به سه جزء اصلی ذکر شده وابسته است. اگر حافظه ذخیره سازی سریع باشد، کنترلر قدرتمندی با قابلیت پشتیبانی از فناوری های جدید انتقال اطلاعات داشته و از پورت سریع USB 3.0 نیز پشتیبانی کنید، می توانید سرعت انتقال اطلاعات بالا (و البته قیمت بالاتر) را انتظار داشته باشید.
در مورد حافظه های سریع، عموما سازندگان حداکثر سرعت انتقال اطلاعات را روی محصولات خود ذکر می کنند که البته ممکن است در عمل به دست نیاید در مورد حافظه های USB 2.0 سریع، سرعت خواندن و نوشتن می تواند به حدود 10 تا 35 مگابایت در ثانیه برسد. در مورد حافظه های معمولی USB 2.0 و مدل های COB، سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب حدود 20 و 5 مگابایت در ثانیه است که برای انتقال فایل های حجیم اصلا مناسب نخواهد بود.
در مورد حافظه های USB 3.0 نیز می توانید سرعتی بین 50 مگابایت در ثانیه تا بیش از صد مگابایت در ثانیه را تجربه کنید.
[font=sans-serif]حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارتهای حافظه ویواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارایه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت (Hard diskk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.[/font]
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام گذاری شده‌اند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.
[list]
[*]فلش NOR :
[/list]هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
[list]
[*]فلش NAND:
[/list]فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.
در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
ساختار فلش مموری ها
ابعاد کوچک حافظه های فلش نشان دهنده این است که این وسایل نباید ساختاری پیچیده داشته باشد. به طور کلی و به زبان ساده، یک حافظه فلش دارای چیپست حافظه، کنترلر و پورت اتصال است.
پورت شما می تواند USB یا از اتصالات مخصوص کارت های حافظه SD،microSD ،MMC یا مدل های دیگر باشد. کنترلر، پلی میان پورت و حافظه بوده و مدیریت نقل و انتقال اطلاعات را به عهده دارد.
حافظه ذخیره سازی نیز که به آن حافظه NAND Flash می گویند، محل ذخیره سازی اطلاعات است. این حافظه دارای ظرفیت های مختلفی است و سرعت انتقال اطلاعات در آن می تواند، متغیر باشد.
در برخی موارد، کنترلر و حافظه با یکدیگر جمع شده و در برخی دیگر از حافظه های فلش که از فناوری (COB (Chip On Borad در آنها استفاده شده است، همه چیز روی یک بورد جمع می شود. حافظه های ساخته شده با این فناوری عموما اندازه ای بسیار کوچک و ضخامتی کم دارد، پس انتظار سرعت انتقال اطلاعات بالا از آنها نداشته باشید.
سرعت انتقال اطلاعات به سه جزء اصلی ذکر شده وابسته است. اگر حافظه ذخیره سازی سریع باشد، کنترلر قدرتمندی با قابلیت پشتیبانی از فناوری های جدید انتقال اطلاعات داشته و از پورت سریع USB 3.0 نیز پشتیبانی کنید، می توانید سرعت انتقال اطلاعات بالا (و البته قیمت بالاتر) را انتظار داشته باشید.
در مورد حافظه های سریع، عموما سازندگان حداکثر سرعت انتقال اطلاعات را روی محصولات خود ذکر می کنند که البته ممکن است در عمل به دست نیاید در مورد حافظه های USB 2.0 سریع، سرعت خواندن و نوشتن می تواند به حدود 10 تا 35 مگابایت در ثانیه برسد. در مورد حافظه های معمولی USB 2.0 و مدل های COB، سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب حدود 20 و 5 مگابایت در ثانیه است که برای انتقال فایل های حجیم اصلا مناسب نخواهد بود.
در مورد حافظه های USB 3.0 نیز می توانید سرعتی بین 50 مگابایت در ثانیه تا بیش از صد مگابایت در ثانیه را تجربه کنید.