07-05-2020, 11:21 AM
کیش تک_طرح مشاوره متخصصین صنعت و مدیریت_گروه فنی و مهندسی :
پژوهشگران موفق شدند حافظه های رایانه ای سه بعدی و شفاف را به کمک گرافن و اکسید سیلیکون طراحی کنند.
پژوهشــگران دانشــگاه رایــس، حافظــه رایانــه ســه بعــدی شــفاف و دوپایانــه ای بــه صــورت ورقه هــای انعطاف پذیــر را طراحــی کرده انــد.
پژوهشـگران رایـس بـه منظـور دسـتیابی بـه ایـن تراشـه جدیــد یــک لایــه گرافــن را روی اکســید سیلیســیوم قــرار دادنــد. در ابتــدا، تصــور می شــد کــه توانایــی شــگفت انگیــز حافظــه از مــاده جادویــی دو بعــدی و تــک اتمــی گرافــن نشــأت می گیــرد ولــی در ادامــه تحقیقــات کشــف شــد کــه ایــن فرضیــه اشــتباه اســت.
درحقیقــت، ســطح اکســید سیلیســیوم توانایــی بــالای حافظــه را ایجــاد می کــرد.
ولتــاژی کــه در عــرض ورقــه نــازک اکســید ســیلیکون اعمــال می شــود، اتم هــای اکســیژن را از کانالــی بــه پهنــای پنــج نانومتــر دور و آن را بــه ســیلیکون فلــزی رســانا تبدیــل می کنــد. بــا ولتاژ هــای کمتــر، کانــال مذکــور می توانــد بــه طــور متنــاوب تــا چندیــن هــزار بــار شکســته و دوبــاره تعمیــر شــود.
بدیــن صــورت اســت کــه ایــن کانــال می توانــد بــه صــورت صفــر و یــک خوانــده شــود و بــه عنــوان واحد اصلی حافظه محسـوب شـود.
ایـن حافظه هـا نـه تنهـا در تراشـه های مقـاوم تابشـی قابـل اسـتفاده هسـتند، بلکـه دماهایـی در حـدود 700 درجـه سلسـیوس را تحمـل می کننـد.
ایـن بدان معناسـت کـه می تواننـد بـه طـور مسـتقیم روی پردازنده هـای مجمتـع بـدون اثـرات سـوء نصـب شـوند.
پژوهشگران موفق شدند حافظه های رایانه ای سه بعدی و شفاف را به کمک گرافن و اکسید سیلیکون طراحی کنند.
پژوهشــگران دانشــگاه رایــس، حافظــه رایانــه ســه بعــدی شــفاف و دوپایانــه ای بــه صــورت ورقه هــای انعطاف پذیــر را طراحــی کرده انــد.
پژوهشـگران رایـس بـه منظـور دسـتیابی بـه ایـن تراشـه جدیــد یــک لایــه گرافــن را روی اکســید سیلیســیوم قــرار دادنــد. در ابتــدا، تصــور می شــد کــه توانایــی شــگفت انگیــز حافظــه از مــاده جادویــی دو بعــدی و تــک اتمــی گرافــن نشــأت می گیــرد ولــی در ادامــه تحقیقــات کشــف شــد کــه ایــن فرضیــه اشــتباه اســت.
درحقیقــت، ســطح اکســید سیلیســیوم توانایــی بــالای حافظــه را ایجــاد می کــرد.
ولتــاژی کــه در عــرض ورقــه نــازک اکســید ســیلیکون اعمــال می شــود، اتم هــای اکســیژن را از کانالــی بــه پهنــای پنــج نانومتــر دور و آن را بــه ســیلیکون فلــزی رســانا تبدیــل می کنــد. بــا ولتاژ هــای کمتــر، کانــال مذکــور می توانــد بــه طــور متنــاوب تــا چندیــن هــزار بــار شکســته و دوبــاره تعمیــر شــود.
بدیــن صــورت اســت کــه ایــن کانــال می توانــد بــه صــورت صفــر و یــک خوانــده شــود و بــه عنــوان واحد اصلی حافظه محسـوب شـود.
ایـن حافظه هـا نـه تنهـا در تراشـه های مقـاوم تابشـی قابـل اسـتفاده هسـتند، بلکـه دماهایـی در حـدود 700 درجـه سلسـیوس را تحمـل می کننـد.
ایـن بدان معناسـت کـه می تواننـد بـه طـور مسـتقیم روی پردازنده هـای مجمتـع بـدون اثـرات سـوء نصـب شـوند.